網站首頁 公司簡介 新聞中心 產品展示 企業文化 聯系我們

                            A、玻璃行業專用碳化硅電熱元件
                            B、玻璃纖維坩堝爐專用硅碳棒
                            C、氮化硅燒結爐專用碳化硅電熱元件
                            D、通用型碳化硅電熱元件
                            E、抗腐蝕粗端部硅碳棒

                              電話:0533-8179050
                              傳真:0533-6588997
                              手機:13869320298
                              網址:www.gold-tipper.com
                              地址:淄博市周村區周隆路6699號(309國道北北旺路段)
                             
                              
                                  新聞中心 網站首頁 >> 公司新聞
                             
                            反應器壁的輻射率對硅碳棒內部溫度的影響
                              考慮還原爐內對流傳熱、輻射傳熱以及化學反應熱,建立24對棒還原爐內硅碳棒直流電焦耳加熱模型。研究不同分布環上硅碳棒增長半徑、反應器壁輻射率對硅碳棒內部徑向溫度分布的影響。結果表明:隨著硅碳棒半徑的增大,位于內環和中環的硅碳棒中心溫度先增大又減小,而外環上的硅碳棒內部溫度分布更不均勻;增大反應器壁輻射率,硅碳棒中心溫度逐漸增大;輻射熱損失越大,反應器壁的輻射率對硅碳棒內部溫度的影響越強。
                              目前,中國多晶硅生產技術以改良工藝為主,其主要核心生產設備是反應器,又稱為還原爐。通過電流加熱的方式,還原爐獲得所需能量。電流加熱過程中,會使引起硅碳棒內部非均勻的溫度梯度,即硅碳棒中心的溫度遠遠高于表面溫度,且硅碳棒的熔點為1687 K,所以為保證硅碳棒不會由于熱應力的作用產生斷裂,在硅碳棒電加熱過程中應保證硅碳棒中心的溫度低于1687 KtZ,3。因此,研究還原爐中硅碳棒電加熱過程,已成為近幾年國內外多晶硅工程技術研究的重點。
                              近年來,國內外關于硅碳棒電加熱過程的相關研究已有多篇報道,利用數值計算方法對直流電加熱過程中硅碳棒體積生成熱以及內部電流密度變化進行模擬計算,得到不同電壓下硅碳棒內部徑向溫度分布及電流密度分布。研究硅碳棒加熱過程中硅碳棒內部非均勻溫度分布,建立硅碳棒的交流電加熱模型。探究硅碳棒直流電加熱時硅碳棒內部溫度分布,得到硅碳棒中心溫度與硅碳棒半徑的關系。研究12對棒還原爐中硅碳棒輻射位置和器壁發射率對硅碳棒內部徑向溫度分布及電流密度分布的影響。http://www.gold-tipper.com/
                            上一篇:硅碳棒發生平行度差現象的具體原因及相應措施         下一篇:硅碳棒半徑的影響
                             
                             
                            網站首頁 | 公司簡介 | 新聞中心 | 產品展示 | 企業文化 | 聯系我們 | sml地圖 |

                            友情鏈接:硅碳棒 硅碳棒廠家 橋梁模板 橋梁模板租賃 蝸輪蝸桿 山東橡膠制品廠家 農林保水劑 導熱硅膠片 倉儲籠 防水套管 氟塑料泵 玻璃工藝品 ir孔透過率測試儀

                            版權所有:淄博群強電熱元件有限公司 電話:0533-8179050 傳真:0533-6588997 手機:13869320298 網址: www.gold-tipper.com 地址:淄博市周村區周隆路6699號(309國道北北旺路段)魯ICP備11003558號

                            911国产在线观看一本_狠狠v欧美ⅴ日韩v亚洲v福利_久久久久久免费无码_亚欧乱码无码永久不卡在线